Se revelan las especificaciones de la memoria LPDDR6 de Samsung: velocidad de 10,7 Gbps en un proceso de 12 nm.

El 5 de noviembre, la Consumer Electronics Association (CEA), organizadora de la feria anual CES, comenzó a anunciar en su sitio web oficial a los ganadores de los Premios a la Innovación CES 2026. Entre los productos premiados se encuentra la memoria LPDDR6 de última generación de Samsung Electronics, que ofrece un emocionante adelanto del futuro de la tecnología RAM de bajo consumo.

Memoria LPDDR6 de Samsung

Según las especificaciones iniciales, esta primera versión de la nueva memoria DDR de bajo consumo de Samsung se fabrica con tecnología de 12 nm. Este nodo avanzado permite que la memoria alcance una notable velocidad de transferencia de datos de 10,7 Gbps, lo que supone un aumento significativo del rendimiento para futuros dispositivos móviles y de bajo consumo.

Además de su impresionante velocidad, la memoria LPDDR6 ofrece un mayor ancho de banda gracias a un mayor número de canales de E/S. La nueva arquitectura también incorpora un sistema dinámico de gestión de energía que mejora la eficiencia energética en aproximadamente un 21 %. Esta mejora es fundamental para prolongar la duración de la batería de los dispositivos electrónicos de última generación.

Samsung también ha integrado mecanismos de seguridad mejorados en su diseño LPDDR6 para garantizar una sólida integridad de los datos. Este enfoque en la seguridad amplía las posibles aplicaciones de la memoria más allá del sector móvil, posicionándola para su uso en entornos industriales exigentes y de IA de misión crítica donde la fiabilidad es esencial.

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